半导体自主可控逻辑变了吗 利空紧张 (半导体自主可控概念股票龙头股)

就在周末，海外情势突然紧张，今天A股的果链、英伟达链收盘强势上攻。而相应的自主可控方向有所熄火， 半导体设备ETF（） 早盘一度跌超1%，但在10点左右一度翻红。

那么，半导体自主可控的逻辑变了吗？我以为并没有。

此次摩擦还仅仅是刚末尾，海外的信息也是一天一变样，后续半导体自主可控依然迫在眉睫。而短期市场心境有所透支后，今天适当“冷静”，也未尝不是喜事，关于想要掌握自主可控时机的投资者而言，相似这种回调或许是做多不错的窗口期。

以为，接上去半导体范围可以重点关注两小气向——

首先 是低国产率 环节 ，尤其是美系厂商的细分范围，目前CPU/GPU/FPGA/高端存储/模拟/部分设备/设备零部件等细分范围目前国产化率尚低；

其次， China for China+外乡化制造必要性优化，关注制造 。我国晶圆制造厂商有望受益于在地化消费需求，海外大厂为防止利空影响，规划中国业务时或许更多采纳Local for local消费战略，为外乡制造企业带来增量需求。

而这两小气向里，半导体设备板块都是离不开的环节，一方面尽管我们在设备上国产率曾经到来30%，但高端化产品上还有优化空间；其次，设备作为抢先环节，无论是扩产还是新建产能，均有望继续受益，可关注半导体设备龙头。

而思索到部分半导体龙头门槛较高（股价高、科创板上市、投研难度大等），借助相关指数是省心省力的选择。

比如 半导体设备ETF（561980） 跟踪的中证半导指数，前三大重仓股 （15.78%）、（13%）、 占比靠近40%，CR10高达75%，高集中度、聚焦龙头的特征，内行情到来时或具有较高的锐度。

作者：A 股小挖基

CPU4核的，4核是指的什么？？？

1. 四核指的是基于单个半导体的一个处置器上拥有四个一样性能的处置器中心。 换而言之，将四个物理处置器中心整合入一个核中。 2. 四核与双核的区别在于对多义务处置上，四中心的CPU开四个程序要比双中心CPU开四个程序要快，再就是多中心在启动大数据量运算时优势更大。 3. 英特尔公司正在养精蓄锐地抗击AMD公司行将发布的四核主机芯片—Barcelona—的应战。 AMD把它定位为业内第一款“原创”四核芯片，意味着其设计是从头末尾把四颗处置器集成到单片硅之上。 相比之下，AMD指出，英特尔公司现有的四核芯片把两颗双核器件塞入单一封装之中。

大家觉得华微电子的开展趋向好不好？

从以后的国际市场情形来看，关键功率半导体器件特别是MOSFET和IGBT的国产化替代刻不容缓，所以说成功自主可控，是大势所趋，华微电子是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国度级高新技术企业，在中国功率半导体器件行业延续十年排名第一，未来的开展空间和开展趋向都是值得看好的。

ttl电路和cmos电路的区别

TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写 （Transister-Transister-Logic ），是数字集成电路的一大门类。 它采用双极型工艺制造，具有高速度低功耗和种类多等特点。 CMOS是:金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。 由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC （Complementary MOSIntegrated Circuit）。 CMOS集成电路的性能特点微功耗—CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。 高噪声容限—CMOS电路的噪声容限普通在40%电源电压以上。 宽任务电压范围—CMOS电路的电源电压普通为 1.5~18伏。 高逻辑摆幅—CMOS电路输入高、低电平的幅度到达全电为VDD，逻辑“0”为VSS。 高输入阻抗--CMOS电路的输入阻抗大于108Ω,普通可达 1010Ω。 高扇出才干--CMOS电路的扇出才干大于 50。 低输入电容--CMOS电路的输入电容普通不大于5PF。 宽任务温度范围—陶瓷封装的CMOS电路任务温度范围为- 55 0C ~ 125 0C；塑封的CMOS电路为 – 40 0C ~ 850C。 1，TTL电平：输入高电平>2.4V,输入低电平<0.4V。 在室温下，普通输入高电平是 3.5V，输入低电平是0.2V。 最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。 2，CMOS电平：1 逻辑电平电压接近于电源电压，0 逻辑电平接近于 0V。 而且具有很宽的噪声容限。 3，电平转换电路：由于TTL和COMS的上下电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以相互衔接时要求电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么深邃的东西。 哈哈4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必需外界上拉电阻和电源才干将开关电平作为上下电平用。 否则它普通只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。 5，TTL和COMS电路比拟：1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。 2）TTL电路的速度快，传输延迟时期短(5-10ns)，但是功耗大。 COMS电路的速度慢，传输延迟时期长(25-50ns),但功耗低。 COMS电路自身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。 3）COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流，外部的电流急剧增大，除非切断电源，电流不时在增大。 这种效应就是锁定效应。 当发生锁定效应时，COMS的外部电流能到达40mA以上，很容易烧毁芯片。 进攻措施：1）在输入端和输入端加钳位电路，使输入和输入不超越不超越规则电压。 2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。 3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它出来。 4）当系统由几个电源区分供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；封锁时，先封锁输入信号和负载的电源，再封锁COMS电路的电源。 6，COMS电路的经常使用留意事项1）COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对搅扰信号的捕捉才干很强。 所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或许下拉电阻，给它一个恒定的电平。 2）输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在 1mA之内。 3）当接长信号传输线时，在COMS电路端接婚配电阻。 4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容直接维护电阻。 电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。 5）COMS的输入电流超越1mA，就有或许烧坏COMS。 7，TTL门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊状况的处置）：1）悬空时相当于输入端接高电平。 由于这时可以看作是输入端接一个无量大的电阻。 2）在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出出现的是高电平而不是低电平。 由于由TTL门电路的输入端负载特性可知，只要在输入端接的串联电阻小于 910欧时，它输入来的低电平信号才干被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就不时出现高电平。 这个一定要留意。 COMS门电路就不用思索这些了。 8，TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输入就叫做开漏输入。 OC门在截止时有漏电流输入，那就是漏电流，为什么有漏电流呢？那是由于当三机管截止的时刻，它的基极电流约等于0，但是并不是真正的为 0，经过三极管的集电极的电流也就不是真正的 0，而是约0。 而这个就是漏电流。 开漏输入：OC门的输入就是开漏输入；OD门的输入也是开漏输入。 它可以吸收很大的电流，但是不能向外输入的电流。 所以，为了能输入和输入电流，它经常使用的时刻要跟电源和上拉电阻一齐用。 OD门普通作为输入缓冲/驱动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的要求。 9，什么叫做图腾柱，它与开漏电路有什么区别？TTL集成电路中，输入有接上拉三极管的输入叫做图腾柱输入，没有的叫做OC门。 由于TTL就是一个三级关，图腾柱也就是两个三级管推挽相连。 所以推挽就是图腾。 普通图腾式输入，高电平400UA，低电平 8MATTL 电平与 CMOS 电平的区别2007-11-1614:07TTL 电平信号被应用的最多是由于通常数据表示采用二进制规则，+5V 等价于逻辑1，0V 等价于逻辑0，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处置器控制的设备外部各部分之间通讯的规范技术。 TTL 电平信号关于计算机处置器控制的设备外部的数据传输是很理想的，首先计算机处置器控制的设备外部的数据传输关于电源的要求不高以及热损耗也较低， 另外TTL 电平信号直接与集成电路衔接而不要求多少钱昂贵的线路驱动器以及接纳器电路； 再者， 计算机处置器控制的设备外部的数据传输是在高速下启动的，而TTL 接口的操作恰能满足这个要求。 TTL 型通讯大少数状况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输关于超越 10英尺的距离就不适宜了。 这是由于牢靠性和本钱两面的要素。 由于在并行接口中存在着偏相和不对称的疑问， 这些疑问对牢靠性均有影响；另外关于并行数据传输， 电缆以及衔接器的费用比起串行通讯方式来也要高一些。 什么是 TTL 电平，什么是 CMOS电平，他们的区别(一)TTL 高电平 3.6~5V，低电平 0V~2.4VCMOS 电平 Vcc 可到达12VCMOS 电路输入高电平约为 0.9Vcc，而输入低电平约为 0.1Vcc。 CMOS电路不经常使用的输入端不能悬空，会形成逻辑混乱。 TTL 电路不经常使用的输入端悬空为高电平 另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因此对电源的要求不像 TTL 集成电路那样严厉。 用 TTL电平他们就可以兼容(二)TTL 电平是 5V，CMOS 电平普通是 12V。 由于 TTL 电路电源电压是 5V，CMOS电路电源电压普通是 12V。 5V 的电平不能触发 CMOS 电路，12V 的电平会损坏 TTL电路，因此不能相互兼容婚配。 (三)TTL 电平规范输入 L： <0.8V ；H：>2.4V。 输入 L： <1.2V ； H：>2.0VTTL 器件输入低电平要小于0.8V，高电平要大于 2.4V。 输入，低于 1.2V 就以为是 0，高于 2.0就以为是 1。 CMOS电平：输入 L： <0.1*Vcc ； H：>0.9*Vcc。 输入 L： <0.3*Vcc ；H：>0.7*Vcc. 普通单片机、DSP、FPGA 他们之间管束能否直接相连. 普通状况下，同电压的是可以的，不过最好是要好好查查技术手册上的 VIL,VIH,VOL,VOH的值，看能否能够婚配（VOL 要小于 VIL，VOH 要大于VIH，是指一个衔接当中的）。 有些在普通运行中没有疑问，但是参数上就是有点不够婚配，在某些状况下或许就不够稳如泰山，或许不同批次的器件就不能运转。 例如：74LS的器件的输入，接入 74HC的器件。 在普通状况下都能好好运转，但是，在参数上却是不婚配的，有些状况下就不能运转。 TTL 与 COMS电平经常使用区别1、电平的下限和下限定义不一样，CMOS 具有更大的抗噪区域。 同是5 伏供电的话，ttl 普通是 1.7V 和 3.5V 的样子，CMOS 普通2.2V,2.9V的样子，不准确，仅供参考。 2、电流驱动才干不一样，ttl 普通提供 25毫安的驱动才干，而CMOS 普通在 10毫安左右。 3、要求的电流输入大小也不一样，普通 ttl 要求 2.5毫安左右，CMOs简直不要求电流输入。 4、很多器件都是兼容 ttl 和 CMOS的，datasheet会有说明。 假设不思索速度和性能，普通器件可以互换。 但是要求留意有时刻负载效应或许惹起电路任务不正常，由于有些ttl电路要求下一级的输入阻抗作为负载才干正常任务。 1，TTL 电平：输入高电平 〉2.4V 输入低电平〈0.4V在室温下，普通输入高电平是 3.5V 输入低电平是0.2V。 最小输入高电平和低电平输入高电平 〉=2.0V 输入低电平 《=0.8V它的噪声容限是0.4V.2,CMOS 电平：逻辑电平电压接近于电源电压，0 逻辑电平接近于0V。 而且具有很宽的噪声容限。 3，电平转换电路：由于 TTL 和 COMS 的上下电平的值不一样（ttl 5vcmos3.3v），所以相互衔接时要求电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么深邃的东西。 4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必需外界上拉电阻和电源才干将开关电平作为上下电平用。 否则它普通只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。 5，TTL和 COMS 电路比拟：1）TTL 电路是电流控制器件，而 coms 电路是电压控制器件。 2）TTL电路的速度快，传输延迟时期短(5-10ns)，但是功耗大。 COMS电路的速度慢，传输延迟时期长(25-50ns),但功耗低。 COMS电路自身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。 3）COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流，外部的电流急剧增大，除非切断电源，电流不时在增大。 这种效应就是锁定效应。 当发生锁定效应时，COMS 的外部电流能到达40mA以上，很容易烧毁芯片。 进攻措施：1）在输入端和输入端加钳位电路，使输入和输入不超越不超越规则电压。 2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD 端出现瞬间的高压。 3）在 VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它出来。 4）当系统由几个电源区分供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启 COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；封锁时，先封锁输入信号和负载的电源，再封锁 COMS