AI芯片新打破！SK海力士全球首个成功12层HBM3E产品量产 股价大涨近9% (ai芯片现状)

本周四，韩国SK海力士宣布，已末尾量产全球首款12层HBM3E产品，容量为36GB，这是迄今为止现有HBM的最大容量。

SK海力士宣称，12层HBM3E产品在速度、容量和稳如泰山性方面均抵达全球最高规范。该公司方案在年外向客户提供量产产品。

受此信息影响，SK海力士股价周四在韩股市场上大涨。截至发稿，该公司股价日内涨幅已抵达8.89%。

SK海力士率先成功12层HBM量产

往年3月，SK海力士向客户交付8层HBM3E产品，创下业界首位。时隔6个月后，SK海力士再次业界首个成功12层HBM3E芯片量产，再次证明其技术优点。

SK海力士是自2013年推出全球首款HBM以来，开发并供应从第一代(HBM1)到第五代(HBM3E)一切HBM系列的独一企业。

如今，SK海力士实如今业界率先量产12层HBM3E后，将满足人工智能企业日益增长的需求，并继续坚持其在人工智能存储器市场的抢先位置。

SK海力士总裁 Justin Kim表示：“SK海力士再次打破了AI内存范围的技术限制，展现了我们在AI内存范围的行业抢先位置…为了抑制人工智能时代的应战，我们将稳步预备下一代内存产品，继续坚持全球第一的位置。”

速度、容量、稳如泰山性均达最高规范

据该公司引见，12层HBM3E产品在速度、容量、稳如泰山性等人工智能存储器所必需的一切范围都契合全球最高规范。

SK海力士将内存运转速度提高到9.6 Gbps，这是目前可用的最高内存速度。假定大型言语模型Llama 3 70b由单个搭载4个HBM3E产品的GPU驱动，每秒可读取总计700亿个参数35次。

SK海力士的12层产品和此前同等厚度的8层产品相比，容量介入了50%。为了成功这一目的，该公司将每个DRAM芯片比以前薄40%，并经常经常使用TSV技术垂直堆叠。

该公司还经过运转其中心技术Advanced MR-MUF工艺，处置了由于将更薄的芯片堆叠得更高而出现的结构疑问。这使得新一代产品散热性能比上一代产品高10%，并经过增强翘曲控制来确保产品的稳如泰山性和牢靠性。