三星暗示有望近期末尾向英伟达供应HBM芯片 (三星宣布)

韩国三星电子公司周四暗示，有或许在近期向美国人工自动巨头英伟达（Nvidia）提供先进的高带宽存储器（HBM）。

这家韩国科技巨头不时在努力让其HBM3E芯片经过英伟达的质量测试，而其外乡竞争对手SK海力士公司最近已末尾量产业界抢先的12层HBM3E芯片。

三星电子内存业务副总裁Kim Jae-june在第三季度财报发布后召开的电话会议上表示：“目前，我们正在量产8层和12层HBM3E产品。”

他指出，该公司在满足“关键客户”的质量测试要求方面取得了“无意义的进度”。该客户指的应该就是英伟达。

他补充说：“我们估量第四季度将扩发展售，”以回应此前有关三星电子在向英伟达供应HBM产品方面落后的担忧。

三星电子表示，第三季度的HBM销售额环比增长了70%以上，估量第五代HBM3E芯片将在第四季度占HBM总销售额的50%。

该公司表示：“我们正在向多个客户扩展8层和12层HBM3E芯片的销售。我们正在努力改良我们的HBM3E，以契合一家大客户的下一代GPU方案。”

三星电子表示，正在开发第6代HBM4产品，方案从明年下半年末尾批量消费。

在三星电子第三季度财报中，半导体部门的营业利润为3.86万亿韩元（合28亿美元），低于市场预期的4.2万亿韩元。

三星电子的股价周四早盘一度下跌逾3%，收盘下跌0.17%，报59200韩元。

海外芯片股一周灵活：三星Q2利润恐暴跌99.3%，日本宣布收买光刻胶公司JSR

日本芯片制造设备前五个月销售额创历史新高，到达了近800亿元，这是自历史同期最高纪录。 但是，全球芯片需求疲软，三星电子估量其第二季度利润将暴跌99.3%，这标明存储芯片市场正在阅历寒冬。 在这一背景下，日本宣布了对JSR Corp.的收买，方案投资63亿美元将其私有化。 同时，台积电方案扩大CoWoS封装产能，以满足AI GPU和其他高性能计算（HPC）芯片的需求。 索尼半导体方案在2023年内成功熊本新工厂的土地征收，减速全球供应链规划。 在技术与产品方面，日本企业正努力于开发新一代电动汽车（EV）功率半导体，以降低能耗。 三星将大规模量产高带宽内存（HBM）芯片，以满足人工智能（AI）市场需求。 韩国政府组建团队研发神经网络处置器（NPU）芯片，旨在与英伟达竞争，防止在图形处置器（GPU）范围的劣势。 此外，思科推出用于AI主机的网络芯片，支持多达个GPU组网。 日本与荷兰签署半导体协作备忘录，旨在推进日本芯片公司Rapidus与荷兰ASML的协作，引进先进的极紫外（EUV）光刻机，以量产先进的半导体芯片。

一文读懂：GPU最强"辅佐"HBM究竟是什么？

各位ICT的小同伴们大家好呀，我是老猫。 今天我们聊聊GPU面前的HBM，这款在AI时代如此炽热的内存芯片。 那么，HBM究竟是什么？为何它能成为GPU最强的“辅佐”？接上去，我们就一同深化了解。 HBM，全称为High Bandwidth Memory，是一款新型的CPU/GPU内存芯片。 它经过将多个DDR芯片堆叠在一同后与GPU封装，成功大容量、高位宽的DDR组合阵列。 笼统地比喻为，HBM采用了“楼房设计”方式，相较于传统的“平房设计”，具有更高的性能和带宽。 HBM的创新之处在于其构建方式，从底层地基到布线都要求重新设计，包括传输信号、指令、电流的重新设计以及封装工艺的高规范要求。 HBM经过中介层紧凑加快地衔接，其特性简直与芯片集成的RAM相反，成功更多IO数量，同时清楚提高了内存的功耗效率，每瓦带宽比GDDR5高出3倍以上，功耗降低3倍多，节省了94%的外表积。 这些优势使得游戏玩家可以享遭到高效的游戏体验。 HBM的初衷是为了向GPU提供更多的内存，以满足AI和视觉等运行对庞大内存、计算和带宽的需求。 经过减小“内存墙”的影响，优化内存带宽成为了存储芯片聚焦的关键疑问。 半导体的先进封装技术为处置高性能计算运行程序的内存访问阻碍提供了时机，内存的延迟和密度都可以在封装级别失掉处置。 异构集成路途使得内存更接近处置器，包括更多内存，为现代处置器和嵌入式系统提供了处置方案，增加了组件占用空间和外部存储器要求，同时放慢了内存访问时期和速率。 HBM的开展历程展现了其技术的创新性和前瞻性。 从最后的硅通孔（TSV）技术堆叠DRAM裸片，到HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E的迭代更新，每一次性更新都随同着处置速度的提高和容量的增大。 最新的HBM3E产品，其接口接口数据传输速率到达8Gbps，每秒可处置1.225TB的数据，下载一部长达163分钟的全高清电影只需不到1秒钟的时期。 随着容量的参与，HBM2E的最大容量到达16GB，三星应用10nm制程节点制造24GB容量的HBM3芯片，成功36GB的业界最大容量，比HBM3高出50%。 HBM的开展环节中，AMD和SK海力士发扬了关键作用。 从2009年起，AMD就看法到了DDR的局限性并发生了开发堆叠内存的想法，与SK海力士共同研发HBM。 2013年，经过多年的研发，AMD和SK海力士推出了HBM这项全新技术，被定为JESD235行业规范。 HBM1的任务频率约为1600 Mbps，漏极电源电压为1.2V，芯片密度为2Gb（4-hi），带宽为4096bit，远超GDDR5的512bit。 除了带宽，HBM对DRAM能耗的影响相同关键，同时减轻了散热压力，变相增加了显卡体积。 HBM的竞争格式关键集中在SK海力士、三星和美光这三家企业之间。 SK海力士在HBM行业中具有抢先的技术和市场份额，市占率为50%，紧随其后的是三星，市占率为40%，美光占据大约10%的市场份额。 在下游厂商方面，关键触及CPU/GPU制造商，如英特尔、英伟达和AMD。 HBM的封装通常由晶圆代工厂成功。 HBM未来运行前景宽广，尤其是在AI大模型、智能驾驶、AR和VR等范围。 AI主机、汽车、智能手机、平板电脑、游戏机和可穿戴设备等需求的不时增长，以及5G和物联网（IoT）等新技术的推进，都将对HBM发生继续的需求。 估量到2031年，全球高带宽存储器市场将从2022年的2.93亿美元增长到34.34亿美元，复合年增长率高达31.3%。 HBM面临的关键应战包括较高的工艺本钱和发生的少量热，这要求行业厂商在不参与物理尺寸的状况下参与存储单元数量和性能，以成功全体性能的飞跃。 同时，要求尽量减轻内存和处置器之间搬运数据的担负。 HBM的未来仍充溢应战，但其在内存市场的开展潜力不容无视。 存储巨头们将继续发力，上下游厂商相继入局，推进HBM失掉更快的开展和更多的关注。

内存芯片的疯狂或将在2024年重演

存储芯片市场在2023年阅历了一番坎坷，第四季度DRAM（内存）和NAND闪存的多少钱出现了约3%至8%的增长。 其中，主机DRAM市场表现尤为突出。 随着运算速度的优化，DRAM和NAND闪存在各类AI运行、智能手机、主机及笔电中的平均搭载容量均有所增长，其中主机运行的增长最为清楚。 智能手机范围，由于供过于求造成的多少钱加快下跌，2023年智能手机DRAM单机平均搭载容量年增17.5%。 进入2024年，在缺乏新运行推进的预期下，估量智能手机DRAM单机平均搭载容量增长幅度将放缓至11%。 主机方面，AI主机需求继续增长，高端AI芯片相继推出，而训练是AI市场的主流运行，所采用的存储器以有助于高速运算的DRAM为主。 与NAND闪存相比，DRAM单机平均搭载容量增长幅度更高，估量年增17.3%。 在笔电范围，由于搭载新款CPU的笔电上市时期有限，对优化存储器容量的协助不大。 同时，AI PC要求DRAM容量加大至16GB，估量笔电DRAM单机平均搭载容量年增率约为12.4%。 随着AI主机的兴起，DDR5和HBM（高带宽内存）的需求随之减速。 DDR5内存的经常使用量和浸透率在主机范围迅速优化，与DDR4相比，DDR5具有更高速度、更大容量和更低能耗的特点。 估量到2026年，主机DRAM（不包括HBM）市场规模有望到达321亿美元。 在AI主机的高性能需求推进下，DDR5内存技术的普及率有望于往年到达30%，并在未来几年内进一步优化至85%。 HBM（高带宽内存）技术在以后GPU内存方案中占据主导位置，它经过改善存算分别造成的“存储墙”疑问，即存储单元带宽疑问和数据传输能效疑问，以及垂直堆叠Die裸片以参与容量，成为以后GPU对大容量和高带宽需求的最优方案。 HBM技术在AI主机范围的运行继续增长，从HBM1到HBM3的迭代，带宽和容量逐渐优化，满足了AI主机对内存性能的更高要求。 展望未来，AI芯片供应商的项目进度将选择内存市场的走向。 英伟达、AMD和英特尔等公司方案推出采用HBM的高端AI芯片，如英伟达的GH200、AMD的MI300系列和MI350、英特尔的Habana Gaudi 2和Gaudi 3等，进一步推进HBM市场的增长。 在HBM市场，SK海力士、三星和美光等外存原厂正积极研发下一代HBM技术，如HBM4，以应对存储行业对新一代存储架构和工艺的需求。 SK海力士方案在2024上半年量产HBM3e，并提供8层堆叠样品，以进一步优化HBM内存的带宽。 三星也在研发HBM4技术，方案于2025年提供样品，并于次年量产。 全球存储器市场周期性动摇清楚，DRAM的上一轮周期在2017年见顶，2019年触底，随后阅历了约一年半的上传周期。 本轮DRAM周期在2021年见顶，2023年9月触底，目前正处于多少钱反弹阶段。 估量2024和2025年，内存市场将有望迎来新一波需求热潮，重现2017和2018年的市场现象。