下降光线损失提高发光效率 太明自动取得高效发光性能的 灯具专利 LED (下降光线损失怎么算)

专利摘要显示，本适用新型地下了一种高效发光性能的 LED 灯具，属于 LED 灯技术范围，一种高效发光性能的 LED 灯具，包括灯座和固定衔接在所述灯座底部的衔接头，所述衔接头的顶部装置有光源板，所述光源板的外表装置有 LED 灯珠，所述灯座的顶部边缘固定衔接有衔接凸台，所述衔接凸台处可装配衔接有灯罩所述灯罩的内侧体成型有透镜，且所述透镜为凸透镜，所述透镜远离所述灯罩底口的外表设置有出射部，它可以经过光源板接通电源点亮 LED 灯珠，LED 灯珠任务时收回的光线一部分直接投射在透镜处，一部分经过入射部处设置的反光纸将光线反射在透镜处，这就使该 LED 灯的顶部有聚合的光线散布,下降了光线的损失，提高了发光的效率，并且组装简易，下降了本钱。

发明两项发光效率纪录，浙大迷信家有望改动OLED技术格式｜专访

狄大卫，浙江大学光电迷信与工程学院研讨员、博士生导师，澳大利亚新南威尔士大学工程学博士、剑桥大学卡文迪许实验室物理学博士。 2019年，他仰仗在无机发光二极管(OLED)和钙钛矿资料发光二极管范围的打破性研讨，中选当年《麻省理工科技评论》全球“35 岁以下科技创新 35 人”。 他的科研态度，犹如玩游戏普通，不只是为了通关，更是为了追求完美。 从剑桥和牛津两所顶尖学府的博士阅历，到在 OLED 范围的深化探求，狄大卫对科研的热情一直未减。 在基础科研中发现乐趣，甚至比游戏更令人着迷，由于科研的自在度更高，结果充溢不确定性。 在研讨量子点硅太阳能电池时，狄大卫看法到效率优化的应战，这使他反思学术才干和研讨方向。 偶然间，经过在电池两端加电压，他发现电池收回白色的光，这一实验促使他宣布论文，报道了基于纳米硅 / 晶体硅的发光二极管，开拓了新的研讨方向。 随后，狄大卫前往全球顶级 OLED 研讨机构之一——剑桥大学卡文迪许实验室，专注于 OLED 技术。 OLED 屏幕因其颜色丰厚、轻浮和可折叠特性而备受欢迎。 狄大卫努力于提高 OLED 的发光效率和稳如泰山性，同时降低本钱。 在研讨中，狄大卫发现了名为 CMA 的特殊分子，其发光效率接近 100%，且存在共同能量散布，这为提高 OLED 发光效率提供了新途径。 经过优化分子设计和金属元素的经常使用，狄大卫成功了 27.5% 的外量子效率，到达了真空蒸镀法制造的高效率 OLED 的同等水平。 接上去，狄大卫将目光转向钙钛矿 LED，这一新型发光技术，也是从其导师的课题组开展而来。 经过与赵保丹协作，他们迅速将外量子效率提高到 20%以上。 狄大卫以为，导师对科研的指点和建议，是基于对他的才干的信任与对 OLED 研讨效果的认可。 狄大卫的科研之旅不只限于基础研讨，他也在思索如何将科研效果转化为产业运行。 他看法到，基础研讨与产业化的平衡对科研人员至关关键。 虽然产业运行或许带来应战，但也能为科研提供资源和正反应。 狄大卫回国后，成为教员并组建了自己的课题组，末尾关注钙钛矿 LED 的研讨。 他以为，关于科研新手，应从熟习课题入手，逐渐树立自信，防止一末尾就面对过于复杂的稳如泰山性研讨。 他奖励在校生启动创新尝试，如光子回收等方法，以进一步提高发光效率。 虽然 OLED 产业的中心技术存在专利垄断疑问，但狄大卫以为，中国 OLED 产业的加快开展为技术创新提供了机遇。 钙钛矿 LED 的研讨充溢应战，但狄大卫坚信，经过产业化的研讨思绪，可以处置稳如泰山性疑问，成功技术的商业化。 虽然钙钛矿 LED 的任务寿命尚需提高，狄大卫仍对其持失望态度。 他置信，钙钛矿 LED 的潜力庞大，经过不时的研讨与创新，钙钛矿 LED 的稳如泰山性将失掉清楚优化，为 LED 技术的开展开拓新天地。

白光LED的发光效率的提高方法？

LED的发光效率其实分为两大块：内量子效率和外量子效率，关于内量子效率深刻讲也就是电子跃迁发生光子的效率。 如何提高效率就是1.降低非辐射跃迁－－增加非辐射的复合中心（关键是晶体缺陷）2.构成稳如泰山的要求的能级差－－a.有效掺杂b.降低结温 其实如今这部分技术相当成熟了，国外有很多的相关文献可以参考，基本可以到达80％甚至90％以上 而外量子效率远没有这样高，也就是光子发生了，却无法有效放出，被LED吸收发生为热能造成结温升高，同时降低内量子效应才是疑问的关键。 一、透明衬底技术 InGaAlP LED通常是在GaAs衬底上外延生长InGaAlP发光区GaP窗口区制备而成。 与InGaAlP相比，GaAs资料具有小得多的禁带宽度，因此，当短波长的光从发光区与窗口外表射入GaAs衬底时，将被悉数吸收，成为器件出光效率不高的关键要素。 在衬底与限制层之间生长一个布喇格反射区，能将垂直射向衬底的光反射回发光区或窗口，部分改善了器件的出光特性。 一个更为有效的方法是先去除GaAs衬底，代之于全透明的GaP晶体。 由于芯片内除去了衬底吸收区，使量子效率从4％优化到了25-30％。 为进一步减小电极区的吸收，有人将这种透明衬底型的InGaAlP器件制形成截角倒锥体的外形，使量子效率有了更大的提高。 二、金属膜反射技术 透明衬底制程首先来源于美国的HP、Lumileds等公司，金属膜反射法关键有日本、台湾厂商启动了少量的研讨与开展。 这种制程不但逃避了透明衬底专利，而且，更利于规模消费。 其效果可以说与透明衬底法具有异曲同工之妙。 该制程通常谓之MB制程，首先去除GaAs衬底，然后在其外表与Si基底外表同时蒸镀Al质金属膜，然后在一定的温度与压力下熔接在一同。 如此，从发光层照射到基板的光线被Al质金属膜层反射至芯片外表，从而使器件的发光效率提高2.5倍以上。 三、外表微结构技术 外表微结构制程是提高器件出光效率的又一个有效技术，该技术的基本要点是在芯片外表刻蚀少量尺寸为光波长量级的小结构，每个结构呈截角四面体状，如此不但扩展了出光面积，而且改动了光在芯片外表处的折射方向，从而使透光效率清楚提高。 测量指出，关于窗口层厚度为20µm的器件，出光效率可增长30％。 当窗口层厚度减至10µm时，出光效率将有60％的改良。 关于585-625nm波长的LED器件，制造纹理结构后，发光效率可达30lm/w，其值已接近透明衬底器件的水平。 四、倒装芯片技术 经过MOCVD技术在兰宝石衬底上生长GaN基LED结构层，由P/N结发光区收回的光透过上方的P型区射出。 由于P型GaN传导性能不佳，为取得良好的电流扩展，要求经过蒸镀技术在P区外表构成一层Ni-Au组成的金属电极层。 P区引线经过该层金属薄膜引出。 为取得好的电流扩展，Ni-Au金属电极层就不能太薄。 为此，器件的发光效率就会遭到很大影响，通常要同时统筹电流扩展与出光效率二个要素。 但无论在什么状况下，金属薄膜的存在，总会使透光性能变差。 此外，引线焊点的存在也使器件的出光效率遭到影响。 采用GaN LED倒装芯片的结构可以从基本上消弭上方的疑问。 五、芯片键合技术光电子器件对所要求的资料在性能上有一定的要求，通常都要求有大的带宽差和在资料的折射指数上要有很大的变化。 不幸的是，普通没有自然的这种资料。 用同质外延生长技术普通都不能构成所要求的带宽差和折射指数差，而用通常的异质外延技术，如在硅片上外延GaAs和InP等，不只本钱较高，而且结合接口的位错密度也十分高，很难构成高质量的光电子集成器件。 由于高温键合技术可以大大增加不同资料之间的热失配疑问，增加应力和位错，因此能构成高质量的器件。 随着对键合机理的逐渐看法和键合制程技术的逐渐成熟，多种不同资料的芯片之间曾经能够成功相互键合，从而或许构成一些特殊用途的资料和器件。 如在硅片上构成硅化物层再启动键合就可以构成一种新的结构。 由于硅化物的电导率很高，因此可以替代双极型器件中的隐埋层，从而减小RC常数。 六、 激光剥离技术（LLO）激光剥离技术（LLO）是应用激光能量分解GaN/蓝宝石接口处的GaN缓冲层，从而成功LED外延片从蓝宝石衬底分别。 技术优势是外延片转移到高热导率的热沉上，能够改善大尺寸芯片中电流扩展。 n面为出光面：发光面积增大，电极挡光小，便于制备微结构，并且增加刻蚀、磨片、划片。 更关键的是蓝宝石衬底可以重复运用。 建议去查相关的文献了解

LED智能化路灯产品优势

这款LED智能化路灯以其共同的技术优势崭露头角。 首先，它搭载了一项发明专利的模块化块光源，将透镜与防水罩巧妙地融合为一，展现出高度的集成设计。 其防护等级到达了IP68级别，这意味着它在严苛的环境下也能坚持稳如泰山运转，具有出色的防水防尘性能。

散热系统的设计相同出色，热阻小，即使在继续点亮的形态下，全体温度也能坚持在60度以下，确保了设备的高效运转和长时期的经常使用寿命。 创新的长方形配光设计专为路灯优化，配合公用光学透镜，提供更为精准的光线散布，使得照明效果清楚优化。

在电源技术上，此路灯独树一帜。 它采用智能化电源，无论输入电压在AC85-264V范围内如何变化，其功率和照度都能坚持稳如泰山，增加了电压动摇对LED灯的影响，延伸了灯具的经常使用寿命，同时有效降低了光衰现象。

更为节能的是，它具有智能时控性能。 在照明6小时后，功率会智能减半，进一步提高了能效，最大水平地发扬节能效果。 此外，其亮度表现也逾越了同类产品，为经常使用者提供了明亮且温馨的照明体验。

LED智能化路灯采用第四代光源（LED）作为发光主体，具有发光效率高、耗电量少、经常使用寿命长、安保牢靠，光源出光率强，有利于环保等特性。 运行于城市主干道 (Main road) 城市次干道 (Street) 工业园区路途、城乡路途等范围。