台积电回应CoWoS砍单 公司继续扩产 谎言 (台积电回应CoWoS火速扩产)

台积电今天发布了最新的 2024 年 Q4 及全年财报：销售额 2.89 万亿新台币（媒体备注：以后约 6431.96 亿元人民币），预估 2.88 万亿，同比增长 33.9%。

剖析师郭明錤昨日（1 月 15 日）发文，针对英伟达最新调整的 Blackwell 架构蓝图，以为英伟达至少在未来 1 年内，清楚下降 CoWoS-S 封装需求。

在台积电法说会上，有投资人讯问 CoWoS 砍单而加快扩产议题。对此，台积电董事长魏哲家回复：谎言多，公司继续扩产满足客户需求。业界也表示，台积电 CoWoS 全体仍供不应求，就算客户从 CoWoS-S 转进 CoWoS-L 也不代表砍单，CoWoS-L 全体产能仍是不能满足客户群继续介入的需求。

一、台积电在市场上的位置依据公司财报，台积公司在先进制程技术、特殊制程技术，以及先进封装技术的开展上继续抢先全球集成电路制造服务范围，2019年的市场占有率为52%。 台积公司总体营收以地域划分（关键依据客户营运总部所在地），来自北美市场的营收占台积公司总体营收的60%、日本与中国大陆以外的亚太市场占9%、中国大陆市场占20%、欧洲、中东及非洲市场占6%、日本市场占5%。 依据产品平台来区分，智能型手机占台积公司总体营收的49%、高效能运算占30%、物联网占8%、车用电子占4%。 此外，消费性电子产品占5%、其他产品占4%。 单单在2019年，台积公司就以272种制程技术，为499个客户消费种不同产品。 二、台积电的工厂规划和员工数量；台积公司及其子公司所拥有及控制的年产能超越一千二百万片十二吋晶圆约当量。 台积公司在台湾设有三座十二吋超大晶圆厂（GIGAFAB®Facilities）、四座八吋晶圆厂和一座六吋晶圆厂，并拥有一家百分之百持有之海外子公司—台积电（南京）有限公司之十二吋晶圆厂及两家百分之百持有之海外子公司—WaferTech 美国子公司、台积电（中国）有限公司之八吋晶圆厂产能援助。 台积公司在北美、欧洲、日本、中国大陆，以及南韩等地均设有子公司或办事处，提供全球客户实时的业务与技术服务。 至2019年年底，台积公司及其子公司员工总数超越人。 三、台积电的工艺多样性；我们谈台积电的时刻，很多时刻会强调他们在先进工艺的实力，但这其实只是冰山一角。 首先看逻辑制程技术方面：● 5纳米FinFET强效版（N5P）技术为N5技术的效能强化版技术，并采用相反的设计准绳。 相较于 N7技术，N5P技术速度增快约20%，或功耗降低约40%。 N5P技术的设计套件估量于2019年第二季启动下一阶段 N5 技术更新时推出。 ● 6纳米FinFET（N6）技术于2019年成功成功产品良率验证。 由于N6技术采用极紫外光（ExtremeUltraviolet, EUV）微影技术，能够增加光罩数量，因此，假设与N7技术消费相反产品相较，采用N6技术消费可以取得更高的良率，并缩短产品消费周期。 此外，与N7技术相较，N6技术的逻辑晶体管密度提高约 18％，加上因光罩总数增加而取得较高良率，能够协助客户在一片晶圆上，取得更多可用的晶粒。 另外，N6技术的设计规律与N7技术兼容，亦可大幅缩短客户产品设计周期和上市的时期。 N6技术于2020年第一季末尾试产，并估量于2020年底行进入量产。 ● N7技术是台积公司量产速度最快的技术之一，并同时针对执行运算运行及高效能操作数件提供优化的制程。 总计截至2019年底共接获超越100个客户产品投片，涵盖相当普遍的运行，包括执行装置、游戏机、人工智能、中央处置器、图形处置器，以及网络衔接装置等。 此外，7纳米FinFET强效版（N7+）技术于2019年末尾量产，协助客户产品少量进入市场。 N7+技术是全球集成电路制造服务范围首个运行极紫外光于商业运转的技术。 此一技术的成功，除了证明台积公司抢先全球的EUV技术量产才干，也为6纳米和更先进技术奠定良好基础。 ● 12纳米FinFET精简型强效版（12nm FinFET Compact Plus, 12FFC+）技术与16纳米FinFET精简型强效版（16nm FinFET Compact Plus，16FFC+）技术系台积公司继16纳米FinFET强效版（16FF+） 技术、16纳米FinFET精简型（16nm FinFET Compact, 16FFC）技术及12纳米FinFET精简型（12nm FinFET Compact, 12FFC）技术之后，所推出的最新16/12纳米系列技术，拥有集成电路制造服务范围16/14纳米技术中最佳产品效能与功耗优势，并于2019年进入试产。 16FF+技术系针对高效能产品运行，包括执行装置、主机、绘图芯片，及加密货币等产品。 12FFC+、12FFC、16FFC+及16FFC则皆能援助客户主流及超低功耗（Ultra-LowPower, ULP）产品运行，包括中、低阶手机、消费性电子、数位电视、物联网等。 总计目前 12FFC+、12FFC、16FFC+、16FFC、16FF+已接获超越 500个客户产品投片，其中绝大部分都是第一次性投片即消费成功。 ● 22纳米超低漏电（Ultra-Low Leakage, ULL）（22ULL）技术于2019年进入量产，能够援助物联网及穿戴式装置相关产品运行。 同时，此一技术的低操作电压（Low Operating Voltage, Low Vdd）技术也于2019年预备就绪。 与40纳米超低功耗（Ultra-Low Power, ULP）（40ULP）及55纳米ULP制程相较，22ULL技术提供新的ULL元件、ULL静态随机存取记忆体（Static Random Access Memory, SRAM），和低操作电压技术，能够大幅降低功耗。 ● 22纳米ULP（22ULP）技术开展系根基于台积公司抢先业界的28纳米技术，并于2019末尾量产。 与28纳米高效能精简型强效版（28nm High PeRFormance Compact Plus, 28HPC+）技术相较，22ULP技术拥有芯片面积增加10%，及效能优化10% 或功耗降低20%的优势，以满足影像处置器、数位电视、机上盒、智能型手机及消费性产品等多种运行。 ● 28HPC+技术截至2019年底，总计接获超越300个客户产品投片。 28HPC+ 技术进一步优化主流智能型手机、数位电视、贮存、音效处置及系统单芯片等产品运行的效能或降低其功耗。 与28纳米高效能精简型（High Performance Compact）（28HPC）技术相较，28HPC+ 技术能够进一步优化效能约15%或降低漏电约50%。 ● 40ULP技术截至2019年底共接获超越100个客户产品投片。 此技术援助多种物联网及穿戴式装置相关产品运行，包括无线网络衔接产品、穿戴式运行途理器及微控制器（Micro Control Unit, MCU）（Sensor Hub） 等。 此外， 台积公司采用抢先的40ULP Low Vdd技术，为物联网产品及穿戴式联网产品提供低功耗的处置方案。 新的强化版类比元件顺利开发中，将进一步强化40ULP平台，援助客户未来更普遍的类比电路设计。 ● 55纳米ULP（55ULP）技术，截至2019年底共接获超越70个客户产品投片。 相较于55纳米低功耗（55LP）技术，55ULP技术可大幅延伸物联网相关产品的电池经常使用寿命。 此外，55ULP亦整合了射频制程与嵌入式快闪存储器制程，能让客户的系统单芯片设计更为简易。 再看特殊制程技术方面；● 16FF+技术自2017年起已为客户消费汽车产业运行产品。 16FFC技术基础硅智财（FoundationIP） 已 通 过 车 用 电 子 协 会（Automotive Electronic Council, AEC）AEC-Q100 Grade-1验证，并且取得性能性安保规范ISO ASIL-B认证。 此外，也导入TSMC 9000A质量控制系统来规范车用硅智财，透过和第三方硅智财供应商协作来树立车用设计生态环境。 台积公司继续开发更多7纳米车用基础硅智财，并于2020年第一季经过AEC-Q100 Grade-2验证。 ● 16FFC射频（Radio Frequency, RF）（16FFC RF）技术于2018年上半年抢先业界为客户量产第五代执行通讯技术（5G）RF 芯片。 此一技术进一步援助新一代无线区域网络802.11ax（Wireless Local Area Network, WLAN 802.11ax）、 毫 米 波（Millimeter Wave, mmWave），以及5G智能型手机等无线衔接运行。 台积公司不时精进16FFC RF技术，不但于2019年抢先全球推出首个截止频率（Cut-offFrequency, fT）超越300吉赫兹（GHz） 的 FinFET元件，亦抢先全球成功震荡频率（Maximum Clock Frequency, fmax）超越400GHz的最佳FinFET元件的开发。 此一高性能且更具本钱效益的技术也将被采用来满足更多的运行，例如雷达、扩增实境／虚拟实境等，以降低芯片功耗及芯片尺寸并援助SoC设计。 ● 22ULL嵌入式电阻式随机存取存储器（ResistiveRandom Access Memory, RRAM） 技术，于 2019年末尾试产，并估量于2020年成功硅智财（IP）牢靠性认证。 此一技术可援助各种不同运行，例如物联网微控制器（IoT MCU）及人工智能（Artificial Intelligence, AI）存储器元件等。 ● 22ULL嵌入式磁性随机存取存储器（Magnetic Random Access Memory, MRAM）技术硅智财估量于2020年度成功牢靠性认证。 此外，16纳米MRAM 技术也正在开发，且进度良好。 MRAM 技术为包括AEC-Q100 Grade-1产品运行在内的高牢靠性MCU产品的eFlash替代方案，提供了一个极具竞争力的转换途径。 ● 28HPC+ RF于2018年抢先集成电路制造服务范围提供首个RF制程设计套件（Process Design Kit,PDK），援助110吉赫兹（GHz）毫米波和150℃车用规格等元件，以援助5G毫米波射频及车用雷达产品的设计。 2019年，28HPC+RF技术新增援助极低漏电（Ultra-Low Leakage）元件及嵌入式快闪存储器（Embedded Flash）。 客户5G毫米波射频及车用雷达产品皆已进入量产。 ● 28 纳米ULL嵌入式快闪存储器制程（eFlash）技术，已于2019年经过AEC-Q100 Grade-1牢靠性认证。 台积公司继续强化此一技术，并估量于2020年经过更严厉的AEC-Q100 Grade-0要求。 ● 继续强化40ULP类比技术平台，包括降低噪声、改善婚配（Mismatch），及提供低漏电元件等。 完整的设计技术文件则估量于2020年成功。 此一强化的40ULP类比技术平台与数位逻辑制程完全兼容，并可以同时援助高准确类比效能、低耗能的类比设计。 ● 十二吋0.13微米双载子-互补式金氧半导体-分散金属氧化半导体强化版（Bipolar-CMOS-DMOS Plus, BCD Plus）技术于2017年末尾消费，晶圆出货于2018年及2019年皆清楚生长。 相较于前一世代0.13微米双载子 - 互补式金氧半导体-分散金属氧化半导体强化版（Bipolar-CMOS-DMOS, BCD）技术，此一新制程技术继续提供更优秀的效能及性能强化，以满足高阶智能型手机的电源控制运行。 ● 0.18微米第三代BCD制程技术于2018年成功 AEC-Q100 Grade-1验证，并进一步于2019年成功 AEC-Q100 Grade-0 验证。 相较于第二代BCD制程技术，此一制程技术提供更优秀的本钱竞争优势。 ● 继续强化电源硅基板氮化镓（Gallium Nitride on Silicon）技术，在650伏特和100伏特两种平台上，将氮化镓功率开关与驱动器整合，并继续改善硅基板氮化镓技术的牢靠度，以援助客户高功率密度及高效率处置方案的芯片设计，满足多元的产品运行。 650伏特和100伏特氮化镓集成电路技术平台皆估量于2020年开发成功。 ● 硅基板无机发光二极体（Organic light-emittingdiode on silicon, OLED-on-Silicon）面板技术与传统玻璃基板无机发光二极管面板技术相较，能够参与像素点密度5到10倍，以援助对高质量扩增实境（Augmented Reality）/ 虚拟实境（Virtual Reality）眼镜日益参与的需求。 台积公司与客户共同协作，成功同时在八吋及十二吋高压技术上展现此一技术的可行性，为扩增实境 / 虚拟实境供应商在工业、医疗，及消费电子多种产品运行的下一世代眼镜开发上，奠定精实的基础。 ● 台积公司成功采用晶圆级封装（CSP）技术协助客户推出全球尺寸最小的互补金属氧化物半导体微机电（Micro-electromechanical Systems）单芯片减速度计（Accelerometer），其尺寸可小于1平方厘米。 此一尺寸小巧的优势，能够协助许多物联网与穿戴装置增加体积与重量。 先进封装技术也是台积电必无法少的一方面；● 针对先进执行装置的运行，成功开发能够整合7纳米系统单芯片和灵活随机存取存储器（DRAM）的整合型扇出层叠封装技术（Integrated Fan-Out Packageon-Package, InFO-PoP），并于2019年协助数个客户产品少量进入市场。 ● 针对高效能运算的运行，能够在尺寸达二倍光罩大小的硅基板（Silicon Interposer）上异质整合多颗7纳米系统单芯片与第二代高频宽存储器（HighBandwidth Memory 2, HBM2）的CoWoS®技术，于2019年第三季成功经过验证。 ● 除了CoWoS®技术之外，能够整合多颗7纳米单芯片的整合型扇出暨封装基板（InFO on Substrate, InFO_oS）技术于2019年末尾量产。 ● 针对先进执行装置及高效能运算的运行，用于5纳米晶圆覆晶封装的粗大间距阵列铜凸块（Cu bump）技术已于2019年成功经过验证。 ● 针对物联网及高阶智能型手机产品运行，成功开发适用于物联网运行的16纳米制程的晶圆级封装（WaferLevel Chip Scale Packaging, WLCSP）技术，并于2019年协助客户产品少量进入市场。 四、台积电的运营战略；台积公司坚信，差异化的竞争优势将使台积公司更能掌握未来集成电路制造服务范围的生长时机。 因应智能型手机、高效能运算、物联网及车用电子四个加快生长的关键市场，及客户需求从以制程技术为中心转变为以产品运行为中心，台积公司曾经区分建构四个对应的技术平台，提供客户最完备且最具竞争优势的逻辑制程技术、特殊制程技术、硅智财，以及封装测试技术，协助客户缩短芯片设计时程及减速产品上市速度。 这四个技术平台区分为：（1）智能型手机平台：台积公司针对客户在顶级（Premium）产品的运行，提供抢先的5纳米鳍式场效晶体管（5nm FinFET, N5）、6纳米鳍式场效晶体管（6nm FinFET, N6）、7 纳米鳍式场效晶体管强效版（7nm FinFET Plus, N7+），及 7 纳米鳍式场效晶体管（7nm FinFET,N7）等逻辑制程技术以及完备的硅智财，更进一步优化芯片效能、降低功耗及芯片尺寸大小。 针对客户在主流产品的运行，则提供抢先的 12纳米鳍式场效晶体管FinFET精简型（12nm FinFET Compact, 12FFC）、16纳米鳍式场效晶体管精简型（16nm FinFET Compact,16FFC）、28 纳米高效能精简型制程技术（28nmHigh Performance Compact, 28HPC）、28纳米高效能精简型强效版制程技术（28nm High PerformanceCompact Plus, 28HPC+），和22纳米超低功耗（22nmUltra-Low Power, 22ULP）等不同逻辑制程选项以及完备的硅智财，满足客户对高效能、低功耗芯片产品的需求。 此外，不论顶级、高阶、中阶或低阶产品运行，也提供客户抢先业界且最具竞争力的射频、嵌入式快闪存储器、新兴存储器、电源控制、传感器、显示芯片等特殊制程技术，以及包括抢先产业的整合型扇出（InFO）的多种先进封装技术。 （2）高效能运算平台台积公司提供抢先的 N5、N6、N7，和12/16纳米鳍式场效晶体管等逻辑制程技术，以及包括高速互连技术等完备的硅智财，来满足客户对资料高速运算与传输的需求。 台积公司也提供涵盖CoWoS®、InFO，和3D IC的多种先进封装技术，能够成功异质和同质芯片整合，以满足客户对运算效能、功耗以及系统设备空间的需求。 台积公司将继续优化高性能运算平台，协助客户赢取由海量数据和运行创新所驱动的市场生长。 （3）物联网平台：台积公司提供抢先、完备，且高度整合度的超低功耗（Ultra-Low Power, ULP）技术平台来支持物联网及穿戴式装置的产品创新。 台积公司抢先业界的55纳米ULP技术、40纳米ULP技术、28纳米ULP技术，以 及22纳米ULP／ 超 低 漏 电（Ultra-Low Leakage,ULL）技术，已被各种物联网和可穿戴运行普遍采用。 台积公司更进一步扩展其低操作电压（Low OperatingVoltage, Low Vdd）技术，以满足极低功耗（ExtremeLow Power）产品运行。 同时，为了援助物联网边缘计算和无线连网不时增长的需求，台积公司也提供客户最具竞争力且最完备的多样 RF 射频、强化版类比元件、嵌入式快闪存储器、新兴存储器、传感器和显示芯片等特殊制程技术，以及包括抢先的整合型扇出（InFO）技术的多种先进的封装技术。 （4）车用电子平台：台积公司提供客户抢先的车用技术，满足车用电子产业中的三大运行趋向：更安保、更智能，和更环保。 同时，也抢先业界推出坚实的车用硅智财生态系统，从16纳米鳍式场效晶体管制程技术起，扩展到N7及N5，以满足汽车产业中两个最需少量运算需求的先进驾驶辅佐系统（Advanced DriverAssistance Systems, ADAS） 和先进座舱系统（InVehicle Infotainment, IVI）。 除了先进逻辑技术平台外，台积公司亦提供普遍而且具竞争力的特殊制程技术，包括28纳米嵌入式快闪存储器，28纳米、22纳米，和16纳米毫米波射频，高灵敏度的互补式金氧半导体影像传感器（CMOS Image Sensor, CIS）／光学雷达（Light Detection and Ranging, LiDAR）传感器和电源控制芯片技术。 新兴的磁性随机存取存储器（Magnetic Random Access Memory, MRAM）正在顺利开发中，以满足汽车Grade-1规范的要求。 这些技术均契合台积公司基于美国车用电子协会（AutomotiveElectronic Council, AEC）AEC-Q100汽车等级制程规格验证规范。 台积公司将继续强化其中心竞争力，适切规划公司长短期技术及业务开展战略，并协助客户因应电子产品周期加快汰换以及市场上剧烈竞争的应战，以达成投资报酬率与生长目的。 五、台积电对产业未来的展望、时机与应战集成电路制造服务范围这些年来的生长，关键是由安康的市场需求所驱动。 但是，2019新型冠状病毒（COVID-19）全球大盛行对全体半导体产业的供应与需求形成不确定性，台积公司思索或许的影响后，预估全体半导体产业（不含存储器）在2020年将持平或是微幅下跌。 但是，就常年而言，因电子产品采用半导体元件的比率优化，无晶圆厂设计公司继续扩展市占率，整合元件制造商委外制造的比例逐渐参与，以及系统公司参与特殊运行元件委外制造等要素，自2019年至2024年，集成电路制造服务范围的生长可望较全体半导体产业（不含存储器）的中个位数百分比年复分解长率更为微弱。 集成电路制造服务范围位居整个半导体产业链的抢先，其表现与关键产品平台的市场状况毫不相关，包括智能型手机、高效能运算、物联网、车用电子与消费性电子产品。 ● 智能型手机智能型手机2018年的单位出货量初次衰退4％，2019年的单位出货量再次衰退 2%，反映许多先进国度和中国市场已趋近饱和。 2020年，随着5G商用化末尾减速，新的5G智能型手机将缩短全体换机周期，但是，COVID-19全球大流行将或许形成换机延后，台积公司因此预期智能型手机市场于2020年将出现高个位数百分比衰退。 ● 高效能运算高效能运算平台包括团体计算机，平板计算机，主机，基站，游戏机等。 2019年，关键高效能运算产品单位出货量降低了4％，关键由于消费类团体计算机的改换周期延伸，企业主机需求降低以及当代游戏机进入产品生命周期尾端；而5G基站部署及生长之企业团体计算机需求部份抵消了衰退。 2020年，遭到COVID-19全球大盛行影响，预期高效能运算平台单位出货量将出现中个位数百分比衰退。 虽然如此，多项要素预期将推进高效能运算平台需求，包括：继续的5G基站部署，增长的数据中心人工智能主机需求以及新一代游戏机的上市等。 这些都要求高效能及高功耗效率的中央处置器、绘图处置器、网络处置器、人工智能减速器与相关的特殊运行集成电路，并将驱使全体高效能运算平台朝向更丰厚的半导体内容与更先进制程技术迈进。 ● 物联网物联网平台包括如智能穿戴、智能音箱、与网络监视器等各式各样联网装置。 2019年物联网装置单位出货量生长25%，蓝牙耳机，智能手表与智能音箱为关键生长动能。 展望2020年，虽然遭到COVID-19全球大盛行的影响，在蓝牙耳机，智能手表与智能音箱继续生长，以及其他各式各样运行继续开展，物联网装置单位出货量将出现中十位数百分比的生长。 随同更多的人工智能性能的参与，物联网装置将带动更多需求于更弱小却更省电的控制芯片、联网芯片与感测芯片。 台积电提供高效能、低功耗的制程技术来强化客户竞争力以赢得市场。 ● 车用电子2019年，由于全球经济环境转弱的影响，汽车单位销售量衰退5%；2020年，遭到COVID-19全球大盛行与全体经济继续的不确定性要素影响，估量将再次衰退低十位数百分比。 展望未来，预期电动车，先进驾驶辅佐系统及信息文娱系统要求更丰厚的半导体内容，将带动处置器、传感器、类比及电源集成电路等需求。 台积公司提供各种车用制程技术以协助客户在车用市场取失利利。 ● 消费性电子产品2019年，消费性电子产品单位销售量衰退7%；电视及机上盒销售量受全球经济环境的不确定要素影响而降低，而MP3播放器、数位相机市场则继续遭到智慧型手机的腐蚀，销售量皆出现下滑。 展望2020年，全体消费性电子产品出货量估量将维持下滑，但是其中的4K及8K超高分辨率电视出货将到达正生长。 此外，电视上经常使用人工智能技术来提高画面质量、语音控制等性能已成为未来趋向。 预期台积公司将掌握此波趋向，以普遍的先进制程技术以满足客户对市场趋向之需求。 闪存｜华为｜封测｜蓝牙｜比亚迪｜晶圆｜硅｜射频｜台积电