三星据悉将砍掉代工部门一半支出！ 台积电大举投资之际 (三星即将)

高端芯片代工厂的竞争正趋于白热化，这促使代工厂介入资本支出，以满足客户对最新节点的消费需求。但是，在这一大势之下，三星据称将增添其代工部门的支出。

据媒体引述信息人士的话称，三星代工部门将在新的一年中将资本支出增添一半以上，仅拨款5万亿韩元（约35亿美元），而去年这一数字为10万亿韩元。过去近10年来，三星每年都在芯片代工和内存消费商投入数十亿美元。

这一战略的变卦或许反映出三星在客户需求上方临费事，以及公司心愿提高效率的志愿。三星据悉在先进制造工艺上不时延期且良品率频频低于预期，形成其很难吸引到大型客户。

信息还称，三星位于韩国平泽工厂，担任消费4-7纳米级芯片的消费线的运行率降低了30%以上。

与此同时，台积电在上周表示，往年将大幅介入资本支出，为明年消费2纳米级芯片做预备。英特尔也表示将积极介入2纳米级芯片的竞争，估量将小幅介入其资本支出。攻守分化

三星或许将把2025年的重点放在韩国华城工厂的S3友好泽工厂的P2设备之上。S3中3纳米芯片的产线或许部分更新为2纳米，这简直不要求添置大批的全重消费设备就可以成功。

而到2025年，P2估量将装置一条1.4纳米芯片的测试线，月产能预估在2000-3000片晶圆。此外，三星还将对其他地域的工厂启动小规模投资，如其位于美国的泰勒工厂，方案是更新现有晶圆厂，而不是扩展产能。

这种保守战略与台积电的疯狂扩张构成鲜明对比。台积电方案在2025年投资380亿-420亿美元的资金，较2024年的297.6亿美元清楚介入。其中70%的投资将流入先进工艺，10-20%则被分配给非凡技术，剩下的部分投向先进封装、测试、掩模制造和其他范围。

这也与台积电在2025年下半年量产2纳米芯片的规划相符。台积电宣称，方案中的2纳米试消费芯片数量高于此前3纳米和4纳米芯片的试消费数量，这代表着该公司将要求更多的2纳米产能。

英特尔则也方案在往年晚些时辰提高其18A制造工艺的芯片消费数量，同时为下一代节点启动预备。业内估量，该公司往年的资本支出将从2024年的110亿-130亿提高至120亿-140亿美元。