新打破！我国在太空成功验证第三代半导体资料制造的功率器件 (中国打破了)

澎湃资讯从中国迷信院微电子研讨所得知，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体资料有望牵引我国航天电源更新换代。

功率器件是成功电能变换和控制的中心，被誉为电力电子系统的心脏，是最为基础、最为普遍运转的器件之一。随着硅（Si）基功率器件的性能迫近极限，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体资料，以禁带宽度大、击穿场强高、饱和电子速度快等优点，可大幅提空两边电源的传输功率和动力转换效率，简化散热设备，下降发射本钱或介入装载容量，功率-体积比提高近5倍，满足空间电源系统高能效、小型化和轻量化需求。

据悉，中国迷信院微电子研讨所刘新宇、汤益丹团队结合空间运转工程与技术中心刘彦民团队研制的碳化硅（SiC）载荷于2024年11月15日搭乘天舟八号货运飞船飞向太空，开启了空间轨道迷信实验之旅。经过一个多月的在轨加电实验，SiC载荷测试数据失常，高压400V SiC功率器件在轨实验与运转验证成功，在电源系统中静态、灵敏参数契合预期。

本次搭载的SiC载荷系统关键义务为国产自研高压抗辐射SiC功率器件（SiC二极管和SiC MOSFET器件）的空间验证及其在航天电源中的运转验证、SiC功率器件综合辐射效应等迷信研讨，有望逐渐优化航天数字电源功率，支撑未来单电源模块抵达千瓦级。

本次搭载第一阶段义务目前已顺利成功，成功了首款国产高压400V抗辐射SiC功率器件空间环境顺应性验证及其在电源系统中的在轨运转验证，标志着在以“克”为计量的空间载荷需求下，SiC功率器件将成为大幅优化空间电源效率的优选计划，牵引空间电源系统的更新换代。

刘新宇表示，中国自主研制成功首款国产高压抗辐射SiC功率器件，并经过空间验证、成功其在电源系统中的在轨运转，这将为未来中国探月工程、载人登月、深空探测等范围提供可供选择的新一代功率器件。

全球各国均在积极启动第三代半导体资料的战略部署，其中的重点即SiC。SiC已成为下一代功率器件竞争的制高点，其运转潜力不只在航天范围，在高速列车、风力发电及智能电网等范围，SiC也独具优点。