002428.SZ 公司 云南锗业 6英寸高质量磷化铟单晶片产业化关键技术研讨项目 已成功项目研讨义务 (002428云南锗业股吧)

媒体3月12日丨(002428.SZ)在投资者互动平台表示，公司“6英寸高质量磷化铟单晶片产业化关键技术研讨项目”已成功项目研讨义务，下一步如有量产方案，公司会按规则启动地下披露。

什么是微型显示器

tting Diode，即无机发光二极管显示器，是指无机半导体资料和发光资料在电流驱动下而到达发光并成功显示的技术。 OLED相比LCD有许多优势：超轻、超薄(厚度可低于1mm)、亮度高、可视角度大(可达170度)、由像素自身发光而不要求背光源，功耗低、照应速度快(约为LCD速度的1000倍)明晰度高、发热量低、抗震性能优秀、制形本钱低、可弯曲。 OLED比更能够展现完美的视频，再加上耗电量小，可作为移动电话、数码电视等产品的显示屏，它被业界公以为是最具开展前景的下一代显示技术。 无机薄膜电致发光的研讨起始于二十世纪五、六十年代，它比无机电致发光晚了20年左右。 二十世纪六十年代到八十年代中期，无机EL徘徊在高电压、低亮度、低效率的水平上。 1963年，Pope研讨了蒽单晶片(10-20μm)电致发光，事先要求在两端施加400V的电压才干观察到蒽的蓝色荧光;之后，Helfrich和 Williams等人继续启动了研讨，使电压降至100V左右，外量子效率高达5%;1982年，Vincett用真空蒸镀法制成了50nm厚的蒽薄膜，30V时观察到了蓝色发光，但由于电子注入效率低和蒽成膜性差，外量子效率只要0.03%左右;1983年，Partridge宣布了聚合物电致发光的文章，但由于亮度低而未惹起普遍注重。 1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W Tang和VanSlyke对无机EL做出了开创性的任务，制备了如图所示的OLED，惹起全球工业界和科技界的普遍注重，促进了OLED的迅速开展。 他们制备了双层电致发光器件，以芬芳二胺为空穴传输层，低功函数的镁银合金(原子比为10:1)为阴极，极大地提高了空穴和电子的注入效率;另外采用成膜性好、电子传输资料兼荧光资料的8-羟基喹啉铝(AIQ)作为发光层。 器件在l0v 直流电压驱动下，发射出绿色光，其最高亮度可以到达l000cd/m2,量子效率为1%. 1988年，日本Adachi等人又提出了夹层式多层结构的OLED形式，极大扩展了性能无机资料的选择。 1990年，英国剑桥大学的Burroughs等人用简易的旋涂膜法将聚苯撑乙烯(PPV)的预聚体制成薄膜，在真空枯燥下转化成PPV薄膜，成功制备了单层结构聚合物电致发光器件，开创了聚合物EL研讨的热潮。 为成功产业化，OLED的研讨从单色显示逐渐转向黑色显示，人们末尾寻求研制具有高色纯度、高亮度器件的方法，如采用具有窄带发射的稀土发光资料以及无机微腔结构。 1990年，日本Kido小组初次把稀土配合物资料用于电致发光器件，他们把Tb(acac)3配合物作为发光层，TPD作为空穴传输层，制成了双层结构OLED,失掉纯的试离子特征发射(545nm)，半峰宽仅为l0 nm，但亮度仅为7 cd/m2. 1993年，Takahiro Nakayama等人初次对电致发光光学微腔结构器件启动了研讨，失掉了窄带光谱发射。 OLED 显示屏的驱动分为有源驱动与无源驱动。 最早出现的是无源OLED,它采用行列扫描的方式，驱动相应的象素发光显示。 无源OLED本钱较低，工艺也比拟简易，由于刷新速度等疑问，只适用于小尺寸显示屏。 1995年，柯达与三洋公司签署协议，应用三洋的高温多晶硅技术和柯达的电致发光资料制成了有源矩阵OLED。 有源显示相似于TFT LCD，它把OLED发光资料集成在硅片上，每个象素由一个晶体管驱动。 为了发扬OLED照应速度快的优势，目前厂家倾向于采用高温多晶硅(UPS)技术来驱动。 有源OLED适用于大尺寸显示器和高分辨率微型显示器。

求王中林的一篇文献

1 氧化物纳米结构的迷信技术 王中林 纳米科技 2006/06 2 从纳米技术到纳米制造 王中林 纳米科技 2006/01 3 创新 开放 产业化——访国度纳米迷信中心海外主任、美国佐治亚理工学院校董事讲席教授王中林博士 王文 纳米科技 2006/01 4 压电式纳米发电机的原理和潜在运行 王中林 物理 2006/11 5 氧化锌纳米带中的面缺陷(英文) 丁勇 物理学进度 2006/Z1 6 运行于硅晶片抛光的球形单晶纳米资料 王中林 自然杂志 2006/04 7 单晶SnO_2纳米带裂纹形核的临界应力和断裂韧性 王玉桂 金属学报 2004/06 8 纵论纳米迷信与技术 王中林 河北企业 2002/01 9 探求培育纳米科技人才的科研和教育体制 王中林 中国基础迷信 2002/04 10 动力、环境和纳米技术 康振川 全球科技研讨与开展 2002/02 11 纳米资料和纳米技术 王中林 迷信中国人 2001/04 12 纳米迷信和纳米技术——开展范围和方向 王中林 中国迷信基金 2001/06 13 纳米迷信和纳米技术——应战和机遇 王中林 中国迷信基金 2001/05 14 单个纳米结构性能的测量 王中林 自然迷信进度 2000/07

什么叫太阳能级硅片

是晶片中轻量级的太阳能级硅片单晶太阳能硅片 质量规范 1 资料 物理法高纯硅及原生多晶硅 2 生长方法 经常使用柴氏法生长钒酸钇和掺钕钒酸钇,可失掉可到大面积单晶片直径30 mm至 35 mm,长40 mm晶体,：硅片 , 单晶硅片 , 硅棒 .生长方法 柴氏法CZ 柴氏法CZ 型号掺杂 P/N型掺硼/磷 P/N型掺硼/磷 晶向偏向 <100>±2° <100>±2° 氧含量 ≤1.0×1018 atoms/cm3 ≤1.0×1018 atoms/cm3 碳含量 ≤5.0×1016 atoms/cm3 ≤5.0×1016 atoms/cm3